000 02095nam a2200529 i 4500
001 25902
003 KOSZ 005
005 20200827122043.0
008 200827s1972 pl a f 000 0 pol
015 _aUWD B 524/70-72
035 _a991036989019705066
035 _a(PL-WaBN)b19926194-48omnis_nlop
035 _ab19926194
035 _a(OCoLC)838966277
035 _a(PL)b0000001992619
035 _a(EXLNZ-48OMNIS_NETWORK)9910421857405606
040 _aWA N
_cWA N
_dKOSZ 005/RW
046 _k1971
080 _a621.38
100 1 _aGrynglas, Maria
_eAutor
245 1 0 _aWłasności realnych złącz metal - półprzewodnik :
_bpomiary charakterystyk elektrycznych barier Schottky'ego Au-GaAs typu n /
_cMaria Grynglas, Eliana Kamińska ; Instytut Technologii Elektronowej przy Naukowo-Produkcyjnym Centrum Półprzewodników.
260 _aWarszawa :
_b"Wema",
_c1971.
300 _a16 stron :
_bilustracje ;
_c24 cm.
336 _aTekst
_btxt
_2rdacontent
337 _aBez urządzenia pośredniczącego
_bn
_2rdamedia
338 _aWolumin
_bnc
_2rdacarrier
380 _aKsiążki
380 _aPublikacje fachowe
388 1 _a1901-2000
388 1 _a1945-1989
490 1 _aPrace Instytutu Technologii Elektronowej ;
_vIV, 3
504 _aBibliografia na stronach 15-16.
506 _aNa prawach rękopisu, do użytku służbowego.
650 7 _aPółprzewodniki
650 7 _aMetale
650 7 _aPrzewodnictwo elektryczne
650 7 _aPomiary
655 7 _aOpracowanie
658 _aInżynieria i technika
700 1 _aKamińska, Eliana
_eAutor
710 2 _aCentrum Naukowo-Produkcyjne Półprzewodników i Mikroelektroniki.
_bInstytut Technologii Elektronowej
710 2 _aWydawnictwa Przemysłu Maszynowego "Wema"
_4pbl
830 0 _aPrace Instytutu Technologii Elektronowej CEMI
_vIV, 3
856 _uhttp://koha.tu.koszalin.pl/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=25902
_yKatalog online BPK
942 _2UKD
_cKS
999 _c25902
_d25902